非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,a-IGZO TFT）凭着迁移率高、均一性好、可透明化和可柔性化等优点,常用于大面积制备和柔性显示,在显示区域有着巨大的发展潜力。本论文根据氧化铝绝缘层可在金属铝上阳极氧化生长的特点和无机绝缘层耐压性高的特点,研究阳极氧化法对于器件漏电流的减小及主要性能的优化。在器件的各层薄膜中,主要研究绝缘层和有源层的特性。实验中首先对TFT器件的绝缘层单层薄膜进行研究。论文中采用4种不同的阳极氧化电解溶液和5种不同阳极氧化工艺制备氧化铝薄膜,采用不同氧分压和溅射功率来制备a-IGZO薄膜。为了研究阳极氧化相比其它工艺对漏电流的优化,制备了基于不同工艺下绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate,PMMA）的TFT器件,用于对比实验。由于器件性能不只有绝缘层决定,在不同阳极氧化工艺下制备器件,完成对TFT器件的优化。实验发现由于电解质溶液决定了阳极氧化薄膜的类型,酸性溶液生成多孔型,中性和碱性溶液生成壁垒型,实验发现中性溶液下器件性能优于酸性溶液下的器件,载流子迁移率提高了12倍,电流开关比提高了2.7倍,阈值电压减小了2V,亚阈值摆幅减小了2.1V/dec。阳极氧化过程中的恒流模式时长会影响薄膜阳极氧化第一阶段的溶解程度,实验发现时长为1200s器件性能最佳,载流子迁移率提高了31%,电流开关比没有明显增幅,阈值电压减小了0.2V,亚阈值摆幅减小了0.8V/dec。不同阳极氧化工艺下最佳器件的关态电流为1.0×10^-8,电流开关比达到8.0×10³,载流子迁移率最高达到2.52cm²/V·s,阈值电压最低为3.9V,亚阈值摆幅为3.6V/dec。由于氧化铝薄膜在水溶液环境中制备,薄膜的表面形貌会影响器件性能,实验制备复合绝缘层器件进行优化,结合氧化铝和PMMA为复合绝缘层,最佳器件的关态电流为3.2×10^-9,电流开关比达到2.0×10⁴,载流子迁移率最高达到2.55cm²/V·s,阈值电压最低为4.5V,亚阈值摆幅为4.4V/dec。实验发现阳极氧化绝缘层在减小器件漏电流上有明显效果,关态漏电流明显下降两个数量级,电流开关比增大了12.5倍;载流子迁移率增大了2.5倍,阈值电压和亚阈值摆幅均有所下降。