ZnGa₂O₄,属于三元尖晶石材料的一种,也是一种新型的n型宽带隙半导体材料,由于其优异的热稳定性和化学稳定性以及宽带隙（4.4?4.7 eV）,该化合物在发光二极管、光电探测器、光催化、平板显示和生物光学成像、太阳能电池等许多领域的应用均受到了广泛的关注。本论文主要以硝酸镓为镓源、醋酸锌和氧化锌为锌源,分别采用一步水热法和两步处理法制备出了不同形貌和荧光性能的纳米ZnGa₂O₄,然后通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线粉末衍射仪（XRD）、荧光分光光度仪、傅里叶红外光谱仪（IR）、X射线能谱仪（EDS）和热重-差示分析仪（TG-DSC）等对制得样品的形貌、纯度、组成、结构及性能进行了一系列表征。具体的研究内容及表征分析结果如下:（1）通过单因素变量系统地探讨了以硝酸镓和醋酸锌为原料一锅水热合成纳米ZnGa₂O₄过程中改变碱的种类时反应参数对制得产物的形貌、纯度及性能的影响规律,从而优化实验条件,制得到了荧光性能良好的纯纳米ZnGa₂O₄,发射波长在469 nm处,并控制合成了不同尺寸及结构的ZnGa₂O₄纳米颗粒;（2）在两步处理法的研究过程中,我们首先以模板剂Na₂EDTA水热制得了纳米GaOOH·Zn²⁺前驱体,并系统地研究了模板剂的种类、模板剂Na₂EDTA的用量及原料Zn（CH₃COO）₂的用量的影响,确定了前驱体纳米GaOOH·Zn²⁺的合成范围;（3）在制得前驱物纳米GaOOH·Zn²⁺的前提下,通过温度梯度热处理法研究了纳米GaOOH·Zn²⁺的单独烧结和掺ZnO烧结时调节温度对制得产物的影响,从而控制合成了棒状的纳米ZnGa₂O₄。