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透明导电薄膜在光电领域可以作为电极材料，具有着极为广泛的应用。本文利用磁控溅射技术在室温下制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜，通过改变Cu夹层厚度、溅射气氛、薄膜退火温度等对薄膜性能进行研究。采用XRD、AFM、SEM、XPS、霍尔效应测量仪和紫外可见分光光度计等对薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能进行表征。首先对不同Cu夹层厚度的ZnO/Cu/ZnO薄膜研究，结果表明，对于纯氩气气氛中生长的ZnO/Cu/ZnO薄膜，随着Cu膜厚度的增加，ZnO/Cu/ZnO膜的透光率先升高后降低，电阻率持续降低。当Cu膜厚度为10nm时，其综合性能达到最佳，此时电阻率为2.30×10-4Ω·cm，载流子浓度为6.0×1021cm-3，迁移率为4.83×10-5cm3·V-1·s-1，400800nm处平均透光率达到80.6%，最高透过率达88.4%。其次对Ar/O2和Ar/N2溅射气氛对薄膜的影响进行了研究。与纯氩气气氛下制备ZnO得到的ZnO/Cu/ZnO薄膜相比，氩氧混合气中制得的薄膜的晶粒尺寸明显减小，且薄膜的透光性与导电性均有所下降。氩氮混合气中生长的薄膜中，ZnO （002）晶面的半峰宽均有所增大，晶粒尺寸变小，含氮气氛下，N2/Ar=4:4时薄膜的综合性能最佳，电阻为20.8Ω/sq，400800nm平均透光率为78.8%。最后，对Cu层厚度为10nm的ZnO/Cu/ZnO薄膜进行真空退火处理，结果表明，退火前后薄膜均具有ZnO（002）择优取向。随着退火温度的升高，ZnO/Cu/ZnO薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加，薄膜电阻率先降低后升高，光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150℃下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳，400800nm处最高透光率为90.5%，平均透过率为81.6%，电阻率为1.28×10-4Ω·cm，载流子浓度为4.10×1021cm-3。综合以上研究结果，Cu层厚度为10nm的ZnO/Cu/ZnO薄膜经过150℃真空退火处理后的性能最佳。本研究表明我们研究的薄膜可应用于平板、太阳能电池、液晶显示器、有机发光二极管等领域，也为ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备、优化及产业化提供了实验依据。