本文研究了准二维电沉积过程中离子输运的滞后效应,沉积出周期性的纳米材料,分析了沉积物形貌特殊性的原因和生长机理。通过方波电位电沉积出了大面积周期性的PbTe/Pb准一维纳米结构材料,对纳米结构材料进行了形貌和结构表征,在PbTe/Pb准一维纳米结构材料中发现了一种独特的微纳米结构,解释了内部微结构的形成原因。利用计算机模拟了制备出的平行纳米结构阵列前端的电场矢量分布和电势分布,解释了由于电沉积电位变化而导致形貌变化的原因。发现了电沉积过程中存在的三种纳米线分叉现象,分别建立起相应的生长模型,利用计算机模拟分析了这几种生长条件下的纳米线阵列前端的电场矢量分布和电势分布情况,解释了这几种不同分叉现象产生的根本原因。测量了单根PbTe/Pb准一维纳米结构材料的电学性能,比较了不同电解液浓度下制备的材料电阻率的变化。通过原位测量比较了退火前后材料电阻率的变化。首次采用四探针法这一新手段对纳米分叉现象进行了研究,研究了单根PbTe/Pb准一维纳米结构材料在光激发条件下的电导的变化,解释了这种结构材料的光电导机理。提出了一种新型的光电纳米结构材料阵列模型。设计了一套新的可控界面合成半导体纳米颗粒的方法,合成出了Zn1-xMnxS稀磁半导体纳米颗粒,研究了不同Mn离子掺杂含量的Zn1-xMnxS半导体纳米颗粒的高压相变,最后构建出了微纳米光电器件并测量了这种微纳米器件的光电性能。