过去几十年间,在资本和市场需求的双重推动下,集成电路产业发展迅猛,极大地带动了以集成电路为核心的计算机科学、通信工程等产业的发展。然而,器件的电学特性会在辐照这样极端的应用环境中发生改变,从而给使用这些器件制成的集成电路带来不良影响。因此,有必要从组成集成电路的器件入手,研究辐照损伤对器件电学特性的影响。本文以辐照环境为背景,首先对应用于大功率通信系统的多指锗硅异质结晶体管辐照损伤特性进行研究,着重研究锗硅异质结晶体管发射极指数目对其辐照损伤特性的影响。同时,考虑到传统硬质器件在狭小空间内使用受限,因此本文选择结构简单,用途广泛的柔性硅二极管进行柔性器件的辐照损伤特性研究,着重研究偏置条件,辐照通量和本征区尺寸对器件辐照损伤特性的影响。研究发现辐照确实会对上述两种器件造成显著损伤。对锗硅异质结晶体管而言,辐照对其造成的损伤主要体现为辐照后器件基极漏电流的增加及其交流增益的下降。器件发射极指数目越多,辐照对它造成的损伤程度越大。对柔性硅二极管而言,辐照对其造成的损伤主要体现为辐照后器件输出电流的增加。器件本征区尺寸越大,辐照对其造成的损伤越明显。对上述现象的研究和分析将会为锗硅异质结晶体管和柔性硅二级管在辐照环境中的大规模应用提供理论上的指导。