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有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)是由成本低廉的有机半导体制成的,因其相比于无机材料具有柔性、可大面积制备等特点而得到研究人员的重点关注。如手机和电纸书的柔性屏、可穿戴式传感器、存储器以及柔性微电子电路都是其潜在的应用领域。但是,OTFT器件的产品化还需解决大面积制备效率低下、制备工艺复杂等实际问题。本文提出了一种新颖的制备有机薄膜晶体管的全金属转印法,通过转印图案化的金属电极,完成了阵列化器件的制备,并检测了其性能。本论文的具体工作如下:在利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)模板转印金属层的过程中,发现了PDMS模板上金属层存在裂纹的问题,分析了金属裂纹产生的原因为PDMS模板的热膨胀系数与金属层的热膨胀系数不匹配。为了解决两者热膨胀系数不匹配的问题,本文通过PDMS与纳米粒子湿法共混的方法制备了PDMS复合材料模板,降低了PDMS复合材料模板的热膨胀系数,消除了PDMS复合材料模板上的金属裂纹。另外在转印的过程中还发现了金属层转印至有机半导体层上质量不好的问题,分析了金属转印过程的粘附功,并提出利用添加PMMA粘附层的方法来提高金属层的转印质量。同时,还讨论了温度、压力以及金属层厚度对金属层转印质量的影响。针对阵列OTFT器件存在栅电极和源漏电极对准误差的问题,分析了对准误差产生的原因,并得出结果是PDMS栅电极模板的热膨胀系数与聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)绝缘层的热膨胀系数不匹配。由于PDMS与纳米粒子湿法共混所能添加的纳米粒子含量存在一个极限值而无法进一步降低PDMS栅电极模板的热膨胀系数,基于此,我们提出了一种基于微结构的PDMS与纳米粒子干法共混的方法,即在具有微结构的硅模板中填充纳米粒子,然后浇铸PDMS,PDMS固化后将微结构中的纳米粒子包覆带出,获得具有超高含量纳米粒子的PDMS栅电极模板。本文制备的Si O2/PDMS栅电极模板其Si O2的质量分数为83.8%。基于微结构制备的超高含量Si O2/PDMS栅电极模板的热膨胀系数为96ppm/℃,相比于原始PDMS热膨胀系数,下降了69%,相比于湿法共混制备的20wt%Si O2/PDMS栅电极模板热膨胀系数,下降了55%。利用该方法制备的PDMS栅电极模板进行栅电极与源漏电极的对准,消除了对准误差,制备了阵列化的OTFT器件。本文研究了并五苯(Tips-pentacene)薄膜的退火温度对器件性能的影响,并得出结论:退火温度可以直接影响Tips-pentacene薄膜的晶体的生长质量,进而提高器件的电学性能;当退火温度较高时,Tips-pentacene薄膜的晶体生长还没有完成,溶剂就已经挥发完毕,因此晶体的尺寸很小,器件的性能较差;当退火温度较低时,Tips-pentacene薄膜的晶体生长速率比较均匀,因此晶体的尺寸较大,器件的性能较好。基于上述结论,制备了Tips-pentacene薄膜退火温度为60℃的OTFT器件,并检测了其性能,阙值电压约为-3.7V,载流子迁移率为0.041cm2/Vs,电流开关比约为6.8×103。