随着光子晶体领域的不断发展,基于光子晶体结构的器件研究和应用越来越受到人们的重视,这也促进了相关领域的基础研究不断取得新进展。光子晶体大有取代传统的电子半导体材料,而成为下一代通信及传感领域的新宠儿。尤其是在微机电系统(MEMS)及纳机电系统(NEMS)中,器件的不断小型化带来的是量子效应的不断加强。作为费米子的电子相互间的影响因素严重制约了技术的发展。为顺应时代发展所需,突破传统机电转换传感的机理,探索机械力对光子的控制原理,我们引入光子晶体研究了机械力对光子运动的调制。本文结合国家自然科学基金项目(No. 60776062)的要求,根据光子晶体研究的理论,对比国防973项目介观压阻效应的研究思路,选择一维光子晶体结构为研究对象,加以轴向应力分析透射谱线的变换情况。首先,本文回顾了电子晶体,即半导体的研究理论和应用成果。电子在半导体中遵循薛定谔方程,半导体材料具有能带特性。电子通过半导体的阱垒结构时会产生共振隧穿效应。利用隧道效应对量子阱结构(包括阱垒宽度和高度)的敏感性,利用到机电转换传感中,得到了不同于压阻效应的介观压阻效应。其次,通过对光子晶体基本理论的分析,选取最简单的一维结构用传输矩阵的算法来分析光子晶体的透射谱线。再通过引入力学量对光子晶体结构的影响因素来分析力学量对透射谱线的影响。最后对比各种结构下的应力影响情况,发现缺陷模结构下中心透射峰受应力影响变化剧烈,并将这种变化命名为介观压光效应。最后还给出了一个压光系数来衡量这种效应的强弱。综上所诉,本文通过对介观压阻效应的分析和理解,发掘光子晶体中的类似效应,建立适当模型计算分析光子通过特定结构光子晶体的透射情况,得到介观压光效应。