钙钛矿电致发光器件（perovskite light-emitting devices,PeLED）因其光色可调、高色纯度、高载流子迁移率等优异的光电特性,引起了研究者们的广泛关注。目前,PeLED的相关研究主要集中在针对钙钛矿薄膜的成膜质量及成分调控方面,并且取得了显著进展。然而,PeLED常见的“三明治”型器件结构内部各功能层的折射率差异较大,器件内部存在严重的内全反射现象,限制了PeLED出光效率的提升。为了改善PeLED存在的内全反射问题,研究者们提出了在器件功能层表面制备图形化（patterned）微纳结构的方法。然而,目前图形化PeLED的微纳结构主要制备在器件单一的功能层界面,对于器件内全反射问题的改善作用较为有限。因此,本文旨在探索一种涉及多功能层界面的图形化衬底,以改善目前PeLED常规“三明治”结构所带来的内全反射问题,进一步提升PeLED的出光性能,具体研究内容如下:（1）典型PeLED结构的FDTD光学仿真模拟。本文首先基于FDTD有限元光学仿真方法,对常见的平面结构、单界面结构以及本文提出的涉及多器件功能层界面的四界面结构、五界面结构的光学特性进行了探究,系统的探讨了不同器件结构对器件出光特性、内部光损耗的影响及其成因,并通过对比论证得到五界面结构在出光特性及减少光损耗方面的优势。（2）图形化衬底表面钙钛矿层的性能研究。本文基于具有良好出光特性的五界面结构,通过光刻工艺等半导体制程制备了表面具有阵列Si O2微柱的图形化衬底,在其表面制备了不同浓度的钙钛矿层,并进一步地对图形化衬底钙钛矿层的表面微观形貌、结晶质量、散射特性等多个方面作了系统的分析,总结出了图形化衬底对钙钛矿层成膜性能的影响。（3）图形化衬底PeLED的制备及其电学性能的表征。本文进一步在图形化衬底表面制备了完整的PeLED,并对器件的电学性能进行了表征。电学性能的分析结果表明,本文提出的图形化衬底PeLED在相比传统平面衬底器件在峰值亮度方面提升明显,其中浓度为1.25 M的图形化衬底PeLED峰值亮度由3446cd/m~2提升至9074 cd/m~2,升幅达163%。