【摘 要】
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该文主要研究光学声子辅助半导体双势垒共振隧穿问题,同时还讨论了光学声子对半导体电子表面态的影响.采用转移矩阵法,在连续介电模型下,研究了非对称双势垒异质结构中界面光
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该文主要研究光学声子辅助半导体双势垒共振隧穿问题,同时还讨论了光学声子对半导体电子表面态的影响.采用转移矩阵法,在连续介电模型下,研究了非对称双势垒异质结构中界面光学(IO)声子模及其与电子的耦合.研究发现,在此类系统存在的8支IO声子模中,在长波极限下具有阱材料纵光学声子(LO)能量的一支与电子的耦合最强.对于声子辅助GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As非对称双势垒隧穿,用Fermi黄金定则计算了声子辅助隧穿电流.采用变分理论对电子表面态的研究表明,电子-声子相互作用使电子表面态能级降低,表面光学(SO)声子的影响是主要的,不可忽略;LO声子对电子表面态的影响不很重要,尤其对耦合,可以被忽略.
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