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随着现代工业的不断发展，铁电陶瓷和薄膜材料被广泛的应用于各种电子元器件中。铁电厚膜兼具了陶瓷和薄膜的优点，能很好的兼容微机电系统技术而备受人们关注。在材料的高温应用领域，大部分材料的应用受到居里温度(Tc)限制，从而制约了高温电子工业的发展，因此，对较高Tc材料的探索和研究是非常必要的。本文先采用粉末溶胶法制备了 Nb掺杂的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)NbxO3(简称NKBTNx(x=0～7 mol％))无铅铁电厚膜，再采用溶胶凝胶法制备了NKBTNx压电陶瓷，对厚膜及陶瓷的微观结构和电学性能进行了研究，主要内容如下： 首先，采用溶胶凝胶法制备了颗粒度为纳米级别的粉体颗粒，初步探索了相关工艺制度：选择适当的陈化时间(24 h)；在液相阶段加入聚乙二醇(PEG)；干燥阶段采用80℃水浴干燥；煅烧温度选择700℃；300℃进行预碳化处理半个小时，能有效减少粉末团聚。 其次，根据粉末溶胶法的原理，用旋转涂覆工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备不同Nb含量的NKBTNx(x=0~7 mol％))厚膜，并研究了厚膜样品的微观结构、介电特性、漏导特性及铁电特性。XRD和SEM的分析结果表明：A位掺杂K、B位掺杂Nb并没有改变Na0.5Bi0.5TiO3的晶体结构；Nb的最佳掺入量为5 mol％。NKBTN5铁电厚膜具有最好的结晶度，尺寸均匀，厚膜表面光滑致密，只有少量微孔。介电频谱测试表明，NKBTNx厚膜的Tc随着Nb含量的增加而逐渐增加，当x=5 mol％时达到最高值(330℃)，介电常数达到最大；当x进一步增加时，厚膜的弛豫特性明显增强。此外，NKBTN5铁电厚膜的室温介电常数最大，介电损耗最低(tanδ=3.8％(104 HZ))，漏电流密度最小，剩余极化值达到最大(2Pr=48.1μC/cm2)，2Ec达到最小(77.8 kV/cm)。 最后，采用溶胶凝胶法制备了不同Nb含量的NKBTNx(x=0～7 mol％)陶瓷，并研究了陶瓷样品的微观结构和介电特性。XRD和SEM的分析结果表明：用溶胶凝胶法制备的NKBTNx陶瓷样品在950℃就能被合成，其烧结温度明显低于固相反应法的合成温度(1150℃)；室温下此类NKBTNx陶瓷的介电常数明显高于固相法制备的陶瓷；NKBTNx(x=0～7 mol％)陶瓷Nb掺杂量大于5 mol％时，样品表现出强烈的弛豫特性，随着温度的升高，陶瓷介电常数变化率趋向于平稳，从室温一直保持到350℃以上，介电稳定性明显加强。溶胶凝胶法制备的NKBTNx陶瓷的铁电性能明显优于固相法制备的NKBTNx陶瓷。