本论文全面的介绍了纳米级掺锑导电粉体ATO的发展概况、导电机理以及常见的制备工艺。ATO（掺锑二氧化锡）超细导电粉体具有良好的导电性、浅色透明性等优点,是目前抗静电材料中的研究热点,有广阔的市场应用前景。本实验以SnCl₄·5H₂O和SbCl₃为主要原料,采用化学共沉淀法制得了纳米级的高导电性能的ATO超细粉体。运用热重-差热（TG-DTA）、X-射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）等测试方法对ATO粉体进行表征。研究了制备工艺（如锑掺杂量、反应温度、反应pH值、热处理等）对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数。另外对于纳米粉体来说,团聚一直是比较难以克服的困难,也是现在制约其生产化的一个难题,本文还讨论了超声分散、洗涤次数和加料方式对粉体粒度和电阻的影响,得到了最佳工艺参数。同时还将试验产品与国内市场的同类产品性能进行了对比,结论是本实验制得的ATO超细粉体的导电性优于国内同类产品。ATO超细粉体的粒径小于国内同类产品,粒径只在10nm左右。ATO超细粉体的团聚得到了很大的改善。综上本实验制的的ATO超细粉体性能优良,达到了国内领先水平。