大量的实验和理论结果表明二硼化镁是两能隙材料，其中一个能隙来自硼的Pxy轨道σ带反成键态，另一个来自硼的pz轨道π带成键和反成键态，其超导电性主要是由硼轨道电子提供。σ带中空穴与声子间的作用非常强，产生一个较大的能隙，x带的电子也会产生一个较小的超导能隙。由于能带结构的复杂性，在磁场中不同的能带电子会有不同的行为，表现出强烈的各向异性，因而在GL理论中应该考虑不同带有效质量的各向异性。 基于GL理论二带模型，考虑到能带有效质量的各向异性，我们讨论了二硼化镁超导体的上临界磁场、上临界磁场的各向异性比与角度、温度和相干长度的依赖关系。实验表明，通过掺杂或引入缺陷能增强上临界磁场Hc2，降低上临界磁场的各向异性，形成钉扎中心并增强临界电流密度Jc，不同的替代杂质对σ带和π带的带内散射有不同的影响。相干长度与掺杂程度密切相关，我们通过改变相干长度讨论了掺杂对上临界磁场的影响，理论计算结果与实验结果相符。 我们的主要结论如下： (1)随着杂质的增多，超导体的有效相干长度减小，使上临界磁场增加；当温度接近临界温度时，超导电性减弱，相干长度对上临界磁场的影响减弱。上临界磁场与能带的各向异性有关，σ带比万带对上临界磁场的影响大。 (2)有效相干长度在较低温度下对温度和角度的依赖关系不是很明显，只在临界温度附近才表现的比较明显，随着外加磁场与轴夹角的增大有效相干长度逐渐减小。 (3)随着温度的增加，临界速率和临界电流密度减小，穿透深度则增加；随着角度的增加，临界速率和穿透深度增加，临界电流密度则减小。