目前,高精密电子设备对电磁屏蔽要求越来越高。采用吸收电磁波方式进行屏蔽会造成电子设备发热,而采用反射方式会产生次级电磁干扰。本文基于引导电磁波“流动”的基本思想,对电磁屏蔽理论及结构展开了研究。在第二章中,本文基于坐标变换理论计算了不同空间及不同坐标系组合下材料本构参数。第三章则提出了基于顶点控制法的任意多边形隐身屏蔽设计方法,采用三角形分割图元,通过多边形顶点逐一在分割图元中进行坐标变换,并严格推导了将电磁场完美地从屏蔽区域转移出去所需的本构材料参数通式,该方法亦可推广至任意图形。第四章针对典型的图形以及“屏蔽罩”厚度进行仿真分析,得到了材料本构参数分布、电场分布以及关键电磁特性。并提出了以图形奇异参数、网格质量、介质损耗、图形波长比、壁厚比五个参数来评价仿真效果的思路及体系。本文为电磁屏蔽提供了新思路,为优化电子设备结构和形状提供了一定的指导。