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目的:1.观察头穴电针诱导NGF透BBB的效应及与PKC通路相关性; 2.观察头穴电针诱导NGF透BBB对脑缺血模型大鼠学习记忆能力的影响。 方法:1.实验第一部分采用反复脑缺血再灌注的方法,建立学习记忆障碍大鼠动物模型,在大鼠BBB完整稳定后(术后第21天),随机分为模型对照组、NGF组、电针组、NGF+电针组、NGF+H7+电针组,另设假手术组。处理时假手术组、模型对照组仅注射生理盐水,NGF组尾静脉注射NGF,电针组刺激大鼠“百会”和“哑门”穴,50HZ,强度2mA,NGF+电针组,NGF+H7+电针组均在尾静脉注射 NGF基础上,再结合电针“百会”和“哑门”穴,并给NGF+H7+电针组同时予以腹腔注射PKC阻断剂H7。30分钟后取大鼠全脑组织,用ELISA法检测各组大鼠脑组织中NGF含量; 2.实验第二部分建立学习记忆障碍大鼠动物模型,造模方法同第一部分实验大鼠。在大鼠BBB完整稳定后(术后第21天),随机分为模型对照组、NGF组、电针组、NGF+电针组、另设假手术组。大鼠处理同第一部分实验大鼠,连续15天,于第16天开始对大鼠进行Morris水迷宫实验,观察各组大鼠空间学习记忆能力变化。 结果:1.在大鼠脑组织 NGF含量检测中,NGF组与模型对照组比较,有少量提高,但不明显(P>0.05);电针组与模型对照组比较,有微量提高(P>0.05);NGF+电针组与NGF组比较,有明显提高,差异显著(P<0.01);NGF+H7+电针组与NGF+电针组比较,有下降趋势,但尚无显著性意义(P>0.05)。 2.在Morris水迷宫实验中,模型对照组大鼠有明显的学习记忆能力障碍,与假手术组比较,差异显著(P<0.01);NGF组、电针组与模型对照组比较,学习记忆能力均无明显改善(P>0.05),NGF+电针组与模型对照组比较,学习能力改善呈明显差异(P<0.05),但记忆能力改善不明显(P>0.05),仅呈改善趋势。 结论:1.头穴电针能诱导NGF透过血脑屏障,使脑组织中NGF含量明显提高,头穴电针是诱导NGF透血脑屏障的有效方法之一; 2.头穴电针诱导NGF透BBB作用与PKC通路相关性不太明显,但存在相关趋势; 3.头穴电针诱导NGF透BBB提高了脑缺血模型大鼠的学习能力,记忆能力改善不明显,但存在一定的改善作用。