1990年后,BiCMOS(Bipolar+CMOS)技术获得迅速发展,SiGe BiCMOS技术经历了从实验室研究到大批量生产的发展,锗硅合金技术成为射频电路(RF,Radio Frequency)的主流技术。本论文开发和研究了SiGe BiCMOS工艺和器件,主要讨论了以下几部分:1.本文首先阐述了论文所涉及的三种器件的物理原理。2.介绍高频器件在无线局域网(WLAN),射频身份识别(RFID),全球移动通信系统(GSM),宽带码分多址(WCDMA)等领域的应用市场分析,以及SiGe HBT器件的性能优势和市场应用分析。3.在0.18um CMOS(NMOS+PMOS)工艺基础上,开发了0.18um纯硅BiCMOS器件工艺。通过选择合适的实现方案,进行器件版图(layout)设计,利用工艺模拟软件SUPPREM4对工艺进行了若干优化;通过流片,实现的NPN BJT器件性能为共射电流增益Beta=30,Early电压=20～30V,达到实用要求。4.在原有0.18um逻辑工艺基础上开发了0.18um SiGe BiCMOS器件工艺。利用工艺模拟软件SUPPREM4对工艺进行了若干优化;流片实现的NPN HBT器件性能为共射电流增益Beta=70～150,Early电压=30～50V。三种SiGeHBT器件的截止频率fr=22GHz/68GHz/80GHz。圆片SiGe工艺合格率大于80%。我公司已具备完善的0.18um CMOS器件模型数据库,可以在其基础上开拓嵌入具备高频性能的Bipolar(NPN,PNP)器件,建立器件模型,并完善集成电路设计平台,为客户提供进行设计所需要的器件特性参数。为实现我公司市场拓展打下了坚实的基础。