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本文主要研究了Tips-pentaceneOTFT的制备及性能。OTFT中绝缘层薄膜为交联的PVP，有源层和绝缘层分别采用旋涂法制备，银电极采用喷墨印刷法制备，分析了不同退火条件对OTFT性能的影响，并采用TLM法分析了不同退火条件下电极与有源层之间的接触电阻的大小。本文的研究主要包括以下几个方面：(1)制备了以Tips-pentacene为半导体层的MIS结构，Tips-pentacene薄膜采用旋涂法制备，电极采用喷墨印刷法制备。Tips-pentacene薄膜在110℃下分别退火2h、6h、10h和12h，分别测试并比较了四组器件的电流-电压特性，发现退火时间为10h和12h时电流密度最大，分别为1.60A/cm~2和1.62A/cm~2；而退火时间为2h时电流密度最小为0.22A/cm~2。(2)根据肖特基发射、P-F效应和空间电荷限制电流三种电流机制分别对所测得的特性曲线进行拟合。得出：在低压时符合P-F效应；电压较大时符合肖特基发射模型；在电压很高时符合空间电荷限制电流模型。(3)分析了Tips-pentacene有源层退火温度为110℃、退火时间分别为2h、6h、10h和12h的OTFT输出特性，发现退火时间为10h和12h时输出特性最好，退火时间为2h时输出特性最差。然后根据所测得的输出特性曲线，采用TLM法提取的退火时间分别为2h、6h和10h时电极与有源层之间的接触电阻，发现10h的接触电阻最小，约为3MΩ；而2h的接触电阻最大，约为8MΩ。(4)分析了Tips-pentacene有源层退火温度分别为90℃、110℃和130℃、退火时间为10h的OTFT输出特性，发现退火温度为110℃时输出特性最好，退火温度90℃和130℃时输出特性均较差。然后根据所测得的输出特性曲线，采用TLM法分别提取的不同退火温度时电极与有源层之间的接触电阻，发现110℃的接触电阻较小，约为3MΩ；90℃和130℃的接触电阻较大，分别约为6MΩ和7MΩ。得出当Tips-pentacene有源层在110℃下退火时间到10h后可以得到性能较好的OTFT。