PECVD沉积的SiN_x膜具有优良的减反射作用和成本低等优点,这使其在太阳电池的大规模生产中得到了广泛的应用。然而SiN_x/Si界面性质和SiN_x膜致密度比较差,在烧结过程中会有大量的H溢出,导致界面态密度很高且有效少子寿命降低。由于热生长的SiO₂/Si具有良好的界面性质,所以本文在沉积SiN_x膜前先在硅片表面热生长一层薄的SiO₂膜。本文主要分为两个部分:模拟部分和实验部分。在模拟部分中,为优化SiO₂/SiN_x双层膜的减反射作用,本文首先采用Matlab程序计算SiO₂/SiN_x双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合。然后通过PC1D的模拟,了解表面复合速率和体寿命对重要电性能参数的影响。本文实验部分主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO₂薄膜,通过改变非晶SiO₂薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命。本文实验还比较了SiO₂钝化、SiN_x钝化及SiO₂/SiN_x双层膜钝化的稳定性。最后,将SiO₂/SiN_x双层膜应用于实际器件,并与单层SiN_x膜太阳电池进行比较。本文实验发现在840℃下生长的非晶SiO₂薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高90%左右。热生长的SiO₂薄膜稳定性明显优于SiN_x。经过SiO₂/SiN_x双层膜钝化的硅片在退火后有效少子寿命得到明显的提高。而沉积有SiO₂/SiN_x双层膜的太阳电池相对单层SiN_x膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mv,转换效率提高约9%。