Cd1-0.07Zn0.07S/Cd1-0.06Mn0.06S/Cd1-0.07Zn0.07S稀磁半导体纳米线

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稀磁半导体是一种重要的兼具磁性与半导体的材料,其物理学方面如光电磁等领域具有很多特殊效应,对稀磁半导体的研究我们可以得到很多多功能器件,目前大规模集成电路的尺寸越来越小,已达到几十纳米的尺度,电子的输运已成为重要的研究方向,迫使工业界发展电子学要另辟途径,接受非经典的电子行为,许多学者提出控制电子自旋的观念。对稀磁半导体材料的研究推动了自旋电子学的发展。因此稀磁半导体的研究不论从理论上还是从应用上来说都具有非常重要的意义。本文对Cd1-0.07Zn0.07S/Cd1-0.06Mn0.06S/Cd1-0.07Zn0.07S纳米线的制备和输运性质进行了系统的研究。   本文采用二次阳极氧化法制备出多孔氧化铝模板。通过直流电化学沉积的方法成功制备出Cd1-0.07Zn0.07S/Cd1-0.06Mn0.06S/Cd1-0.07Zn0.07S纳米线。用XRD、SEM、TEM、对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析。结果表明,制得的Cd1-0.07Zn0.07S/Cd1-0.06Mn0.06S/Cd1-0.07Zn0.07S纳米线粗细均匀,直径与所用模板的孔径相当。采用综合物性测量系统(PPMS)对样品在低温磁场下测量了样品的Ⅰ—Ⅴ曲线,在磁场下样品能带发生塞曼分裂,限制载流子的流通导致电阻升高。
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