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摘要：金属有机化合物化学气相沉淀,Metal-organic Chemical Vapor Deposition,缩写是MOCVD,是在气相外延生长（VPE, vapour phaseepitaxy）的基础上发展起来的一种新型化学气相沉积技术。MOCVD系统的需求量,随着半导体器件化合物生成法、单晶硅等市场的不断扩大而不断增长。因此,易于操作的、简便快捷的、高精度的MOCVD控制系统已成为一种紧迫的市场需求。本论文在充分了解和分析了国内外普遍应用的几款MOCVD系统结构特点和运行过程的前提下,设计了MOCVD的过程控制系统（基于S7-1200系列可编程控制器）,并且对其中的MOCVD压力系统提出了更为准确的控制方法。首先,针对MOCVD系统压力调节所需要的高控制精度、多控制方式、多控制组合,设计中选用的可编程控制器,并根据控制要点分析可能的控制组合,并从组合中筛选最优组合。然后,对MOCVD控制系统的各个分支系统进行设计,包括PLC控制系统、真空系统、温度控制系统、压力控制系统。本次设计使用西门子S7-1200系列新型PLC自带的PID3Step模块,编写反应室压力自动控制程序,建立反应室压力控制系统,达到反应室压力动态平衡、压力自动控制。当系统进气量改变时,反应室内压力能够维持稳定或者按照使用者的需求控制。为减少外部干扰（反应室进气量改变、反应室温度改变、真空泵抽力改变等）以及离散控制（点动控制是否进气、阀门开闭）可能造成的反应室压力波动,系统使用连续式的PID控制,降低系统超调,增加了MOCVD反应过程控制的稳定性,提高了反应得到的涂层的均匀性、可靠性,以及产品的优质率。图34副,表2个,参考文献67篇