人们在光热、光电、光磁等相互交错发展的领域开展众多科学研究取得重大突破后,多功能和高集成度成为了人们一直追求的目标。在此,我们开发了具有可调光激发波段和可控光电、光热响应过程的多功能稀土掺杂发光材料。我们通过选择一个窄带隙的基质材料（Bi₂O₃）和稀土掺杂离子(Sm³⁺,Nd³⁺,Eu³⁺),以多种能级配置作为发光中心,使得部分激发带消失。并且预测了该发光材料将有可能在单一材料系统中集光屏蔽,温度探测和光电探测于一体。除此之外,我们也提出了改善长余辉性能的方法。对于余辉衰减时间的改进,我们利用光致发光光谱和热释光的测量来研究不同共掺杂剂离子(M³⁺=Tm³⁺,Ga³⁺,Pr³⁺,Yb³⁺,Nd³⁺)对Zn₂Sn O₄:Cr³⁺长余辉发光材料的发光强度和陷阱分布的影响。主要研究成果如下:（1）利用高温固相法合成稀土掺杂的发光材料Bi₂O₃:Re³⁺(Re³⁺=Sm³⁺,Nd³⁺,Eu³⁺),通过X射线衍射仪对所有掺杂浓度的样品的物相结构进行分析,发现掺杂离子并未引起基质材料结构的变化。同时,根据各个样品的不同的掺杂,找出掺杂离子的最佳浓度。通过实验测试和理论研究得出Bi₂O₃和Bi₂O₃:Sm³⁺的带隙大小。对样品的光谱进行测试,在紫外区域（波长<450nm）没有出现掺杂离子的特征激发峰,实现了能级淹没。在文中,我们还展示了Bi₂O₃:Re³⁺(Re³⁺=Sm³⁺,Nd³⁺,Eu³⁺)发光材料的温度诱导电子再分布现象。除此之外,Bi₂O₃:Re³⁺(Re³⁺=Sm³⁺,Nd³⁺,Eu³⁺)样品在可见光的激发下表现出优异的电流响应,并且随着激发源强度和波长而变化。（2）同样利用高温固相法合成稀土掺杂的近红外长余辉发光材料Zn₂Sn O₄:0.3%Cr³⁺,0.5%M³⁺(M³⁺=Tm³⁺,Ga³⁺,Pr³⁺,Yb³⁺,Nd³⁺),通过X射线衍射仪对样品的物相结构进行分析,发现掺杂离子并未引起基质材料结构的变化。通过荧光光谱测得其发射带在650nm到850nm之间,发射峰位于810nm处。本章我们主要通过光致发光光谱和热释光曲线研究了不同M³⁺(M³⁺=Tm³⁺,Ga³⁺,Pr³⁺,Yb³⁺,Nd³⁺)掺杂离子对于发光强度和陷阱分布的影响。该工作进一步揭示Tm³⁺掺杂离子最适合用于提高发光强度,并且能够为室温下余辉材料提供最佳陷阱深度。