【摘 要】
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作者作了如下一些研究工作.首先,作者测理了制备工艺较为成熟的HgBaCuO (Hg-1212)大块薄膜样品的1/f噪声,发现样品质量的好坏对样品的噪声水平有显著的影响.加YBCO的buffer l
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作者作了如下一些研究工作.首先,作者测理了制备工艺较为成熟的HgBa<,2>CuO<,3> (Hg-1212)大块薄膜样品的1/f噪声,发现样品质量的好坏对样品的噪声水平有显著的影响.加YBCO的buffer layer后制备的高质量Hg-1212薄膜的1/f噪声水平为10<4>,已和YBCO外延膜相当.随后,又系统地研究了与YBCO具有相同结构,却具有不同导电特性的PrBCO的尺 寸依赖性.对不同宽度PrBCO微桥样品的1/f噪声研究表明,在a-b平面方向上,存在着性与 噪声密切相关的行特征尺度,约为10<2>um的数量级.当样品的尺寸减小到该尺寸以下时,样品的1/f噪声水平迅速下降.2um桥的噪声水平已与正常金属和半导体材料的相同.作者还将实验结果与Dutta-Horn热激活模型进行了比较,发现理论计算结果与实验结果大体符合.
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