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有机发光场效应晶体管(OLET)是一种将有机薄膜晶体管(OTFT)与有机发光二极管(OLED)结合在一起,利用OTFT的整流特性来驱动OLED发光的器件。OLET在继承了OLED平板显示技术中自发光特性的同时,将TFT控制单元与OLED发光单元合成为一个单元,可以进一步简化平板显示中发光器件的结构。OLET在平板显示领域有着极大的发展潜力,有可能成为下一代平板显示技术中的核心技术；由于OLET中导电沟道的横截面非常小,电流密度很大,使其在有机电泵浦激光领域同样拥有极大的发展潜力。首先,本文从有机场效应晶体管基础器件的结构优化入手,发现了最优化的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层厚度为350-400nm,最优化的并五苯有机传输层厚度为50nm,过薄或过厚的薄膜均会引起器件性能的降低。在沟道宽长比为25的最优化器件中,场效应迁移率达到1.12cm2/V-s。其次,发现了在OTFT器件中引入喹啉铝(Alq3)发光层,会极大地降低器件的电学性能。为了增强加入发光层器件的性能,我们研究了不对称电极的制作方法,成功制成了金/铝(Au/Al)以及金/氟化锂-铝(Au/LiF-Al)不对称电极。结果表明,不对称电极可以极大地提高器件中的电子注入,增强饱和区电流和器件迁移率。具有Au/LiF-Al不对称电极的OLET器件,在栅电压和源漏电压均为-40V时,饱和区电流达到1.96×10-5A,迁移率达到0.38cm2/V·s。第三,设计了新型结构的OLET器件,即中间隔断结构OLET。新型结构在不对称电极情况下,空穴和电子注入较为平衡。空穴与电子对在Alq3层中相遇复合,发出绿色荧光。在栅压-60V,源漏电压-80V时,在日光灯照射的亮室中,可以用肉眼观察到发光。第四,研究了Alq3薄膜边缘与沟道相对位置对于器件发光的影响。实验证明,只有Alq3薄膜的边缘恰好位于源漏电极之间的导电沟道之中的时候,器件才能实现发光。该边缘位于其他位置均无法实现复合发光。最后,我们验证了Au/LiF-Al不对称电极对于OLET器件的重要性。只有具有Au/LiF-Al不对称电极的器件才能发光,而Au/Al不对称电极不能有效地注入电子,即使在Alq3边缘位于沟道正中的器件中也无法观测到发光。我们的工作完成了对于OLET的初期研究,为以后的工作创造了良好的基础。在之后的工作中,我们还会对OLET器件的工作原理、性能提升以及结构创新进行进一步的研究探索。