本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与性能的影响，对陶瓷的介电机理、压敏机理和陶瓷的晶界效应进行初步的探讨。 本文对CCTO陶瓷的合成粉料分别在850℃，900℃，950℃和1000℃的温度下预烧2h，然后在1100℃左右烧结3h成瓷。结果表明，950℃预烧2h的粉体具有最佳的烧结性能。对坯体分别在1060℃、1080℃、1100℃和1120℃下烧结2h，结果表明1100℃烧结2h的样品具有最好的介电性能。通过改变陶瓷的烧结保温时间系统研究CCTO陶瓷的晶界效应，在1100℃烧结8小时制备出的CCTO陶瓷在1kHz下的电容率达到93524，介电损耗仅为0.07。与干压成型相比，等静压成型工艺可以降低陶瓷烧结后的尺寸收缩率，降低气孔率，提高致密度，具有更好的介电性能。随着TiO2含量的增加，陶瓷电容率和介电损耗逐渐降低。随着ZnO掺杂量的增加，CCTO陶瓷的电容率逐渐下降，介电损耗也逐渐降低。ZnO含量小于0.3时，其温度稳定性较好。 本文研究CCTO陶瓷的压敏特性。结果表明950℃预烧2h的粉体和1100℃烧结2h的样品具有最好的压敏性能。随着烧结保温时间的延长，CCTO陶瓷的压敏性能降低。采用冷等静压成型的样品压敏特性好于干压成型的样品。CCTO陶瓷的非线性系数随TiO2含量的增加先增加后减少，掺杂ZnO的CCTO陶瓷由于第二相的生成，压敏性能变得复杂。 论文最后初步探讨陶瓷的介电和压敏机理，提出降低CCTO陶瓷介电损耗的一些方法，对陶瓷复阻抗谱进行解释。