Bi_0.95Sb_0.05I₃（SBI）是一种非常有应用前景的室温核辐射探测器材料,具有原子系数高,电阻率高,禁带宽度较宽,易于生长等优点,并且SBI的熔点较低（378oC）适合采用熔体法进行生长。本论文采用电控梯度法（EDG）生长晶体,相比较于传统的布里奇曼法,能够避免因坩埚下降导致的机械振动从而对晶体生长产生不利影响。论文首先通过EDG法,以BiI₃（99.99%）粉体为原料生长了BiI₃单晶。在此基础上,较为系统地研究了SBI单晶的生长工艺,摸索出适合SBI晶体生长的温度梯度和生长速率。实验发现,当温度梯度为6.5?C/cm且生长速率为1.5mm/h时可生长出结晶质量较好的晶体。经过XRD测试,晶体呈现4个衍射峰（003）、（006）、（009）和（0012）,表现出良好的单晶性。采用磁控溅射的方法,在晶片两面镀上约100nm厚的金电极;I-V特性研究表明,晶片电阻率在10⁹Ω?cm以上。研究了表面处理对晶片性能的影响,发现未抛光晶片比抛光后的晶片表面更加平整。SBI为层状晶体,剥离后,其表面为自然的解理面,而抛光处理会对其自然解理面破坏。研究了退火（90-150oC）对晶体性能的影响。结果表明,退火可以明显地改善电极与晶片的欧姆接触程度,晶片的I-V曲线的线性度更好,其电阻率也得到了显著的提升,平均提高5倍左右,能谱分辨率也得到改善。