石墨烯等层状结构的二维材料具有很多优异的特性,近年来受到了越来越多的关注。其中围绕着石墨烯展开的研究是最广泛、最深入的,但石墨烯零带隙的特性使其应用受到了很大的限制;而二硫化钼（MoS₂）在保持了石墨烯很多优点的同时,也克服了石墨烯零带隙的缺点,因此从被发现开始就受到了研究者的青睐。目前化学气相沉积法（CVD）制备的MoS₂薄膜的面积较小,而且制备成本较昂贵。本论文通过对传统CVD方法进行改进,制备出面积较大、表面均匀的二硫化钼薄膜,并对其光电特性进行了研究。首先我们对三氧化钼（MoO₃）粉末加热时长,MoO₃粉末加热温度,硫（S）粉末加热温度,MoO₃粉末质量,S粉末质量,载气流量等制备MoS₂薄膜的条件进行不断的摸索和改善,找到了最佳的制备参数,成功制备出大面积连续的MoS₂薄膜。拉曼光谱和原子力显微镜测量结果表明所制备的薄膜为双层MoS₂薄膜。其次,我们制备了MoS₂场效应晶体管并研究了其电学特性。结果表明栅极电压对源漏两端电流有一定的调制作用。最后,我们还制备了MoS₂光电探测器,并对其光电特性进行了研究。结果表明MoS₂光电阻对波长为720 nm左右的光最为敏感,灵敏度为3.5,响应度为2.5*10-1A/W,量子效率也达到其最大值。