拓扑绝缘体的体相是窄能隙的绝缘体,表面存在二维无质量的狄拉克费米子。受到时间反演对称性的保护,狄拉克费米子拥有线性色散的能带结构并且他们的自旋和轨道相互锁定,使得狄拉克费米子对非磁性杂质存在背散射禁戒的特性。目前在三维拓扑绝缘体的研究中存在两个关键的问题,即高质量的拓扑绝缘体材料的获取和对狄拉克费米子物理性质的研究。笔者通过熔融法制备出了高质量的Sn掺杂的Bi1.1Sb0.9Te2S单晶。我们通过角分辨的光电子能谱,观察到了清晰的狄拉克锥结构,狄拉克点距离费米面126meV;对样品进行输运性质的测量,样品实现了体相绝缘,在低温的电阻率可以达到几十Ωcm;通过对Shubnikov-de Haas振荡的分析,表面态拥有较低的载流子浓度,在低温条件下二维的非平庸拓扑表面态在输运中占主导。进而我们在Sn掺杂的Bi1.1Sb0.9Te2S单晶中测量面内霍尔效应。首次在块体中观察到了面内霍尔效应,电阻和角度呈现sin2θ的依赖关系;通过改变温度,观察到了面内霍尔效应的振幅从100 K到150 K出现明显的衰减,通过对数据的分析确认这个衰减是由于面内霍尔效应到经典霍尔效应的转变。