本文主要介绍了RFLDMOS功率器件的结构及特点,并对RFLDMOS器件进行了工艺仿真,分析了LDMOS器件的物理效应,详细讨论了Hisim-hv模型、边缘电流模型、基于BSIM3的子电路模型、准二维模型及本征小信号模型。本文的主要研究内容如下:　　 1)介绍了RFLDMOS功率器件的结构,通过对比VDMOS、BJT等晶体管,总结了LDMOS晶体管的优点。针对RFLDMOS工艺,用ISETCAD软件进行了仿真。根据LDMOS器件的物理原理,讨论了LDMOS器件沟道非均匀掺杂效应、准饱和效应和自加热效应。　　 2)详细介绍了Hisim-hv模型中的MOS模型、漂移区电阻模型和自加热模型。根据Hisim-hv模型,说明了具体的参数提取过程。针对具体的版图,提出了一个边缘电流模型。结合Hisim-hv模型和边缘电流模型,对多个尺寸LDMOS器件进行了参数提取和验证。　　 3)根据LDMOS子电路经验模型的建模原理和建模过程,提出了一个基于BSIM3的大信号经验模型。结合自加热模型,对LDMOS子电路经验模型进行了参数提取和验证。根据LDMOS准二维模型的建模原理和方法,在BSIM3模型的基础上提出了一个准二维模型,并对模型进行了参数提取和验证。　　 4)根据高频小信号模型的建模方法,介绍了一个适用于RFLDMOS器件的本征小信号等效电路模型,并详细分析了这个模型的参数提取方法。根据实际测试的S参数,进行参数提取后,模拟数据和实测数据可以很好地拟合。