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在Ni、Cu等贱金属基片上制备氧化物铁电薄膜具有广泛的应用前景,但目前,在技术上仍然面临着巨大的挑战。其中,主要的技术困难在于氧化物铁电薄膜与贱金属之间的界面控制。贱金属基片在氧化物薄膜生长过程中易形成金属氧化物层,以及大多数氧化物铁电体和Ni、Cu等金属之间存在晶格失配、热失配、扩散严重等问题,均会导致氧化物铁电薄膜的铁电性能严重退化。因此,研究薄膜制备方法、生长工艺条件等影响贱金属基片铁电薄膜结构和性能的规律,尤其是对界面氧化层的控制,对贱金属基片氧化物铁电薄膜的性能研究十分重要。本文采用激光脉