硅纳米线具有独特的结构形态和性质，引起了广泛的关注和研究，在纳米电化学传感器、太阳能电池等方面具有广泛的应用。当前采用化学方法制备硅纳米线能够进行可控生产，但制备的硅纳米线线径较大，导致其性能较差。　　随着硅纳米线线径的减小，其各项性能会有较大改善。并且硅纳米线在太阳能电池方面具有广阔的发展前景，减小硅纳米线线径，可以增强其光吸收特性，提高太阳能电池的转化效率，因此减小硅纳米线线径具有重大意义。　　为采用化学方法制备出线径更小的硅纳米线，本文在金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线的基础上，首次提出采用热氧化处理，并使用光电显微镜、扫描电子显微镜观察制备的硅纳米线，对比了刻蚀液浓度、刻蚀时间及热氧化温度对硅纳米线表面形貌的影响，并分析其原因。使用紫外可见近红外分光光度计，测量制备的硅纳米线的吸收光谱，分析其光吸收特性。　　扫描电子显微镜观察结果表明，采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线，在硝酸银浓度为0.02 mol/L且刻蚀时间为4h时制备了长度约100μm、线径约100 nm的排列整齐的硅纳米线阵列。对硅纳米线进行热氧化处理，使其线径减小，在热氧化温度为400℃时，处理后的硅纳米线线径减小至约50nm。采用本文热氧化处理后的硅纳米线的线径，比最新文献中报道的采用化学方法制备的硅纳米线线径减小50％，该研究对硅纳米线的大规模制备具有一定的理论与工程意义。分析样品的光吸收特性，验证了经过热氧化处理后的硅纳米线光吸收特性增强，并分析了影响硅纳米线光吸收特性的因素:线径、长度与排列情况。