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Z箍缩内爆是指大电流沿着负载轴线方向(Z方向)通过等离子体,产生强大环向磁场,初始低温等离子体在洛仑兹力度作用下向轴心压缩内爆,形成高温、高密度等离子体的过程。此动态过程粗略的可以分为四个阶段:爆炸电离阶段,负载电离产生初始等离子体;内爆阶段,在此阶段持续的放电产生J×B力驱动等离子体向内运动;热化阶段,等离子体到达轴心,动能转换为热能,等离子体快速电离,高强度X射线脉冲产生;崩溃阶段,等离子体飞散。本文的研究对象主要是第三阶段产生的强X射线辐射。研究Z箍缩内爆特性主要从三个方面着手:X射线辐射产额、内爆动力学过程、X射线辐射能谱。X射线辐射产额和特性反映了等离子体的形成和演变过程、等离子体内爆过程的均匀性、等离子体中电子的密度和温度分布特性等基本信息。测量、诊断内爆过程中等离子体产生的X射线的产额、能谱及其时空分布,能够具体应用于等离子体壳层的形成、内爆动力学特性、等离子体参数演化、热点形成与分布、黑腔物理、辐射应用等方面的研究,同时能够加深对Z箍缩内爆物理过程的认识和理解。“Dante”谱仪系统是X射线能量绝对测量的一种主要诊断仪器,它是由不同滤片—平面镜—X射线二极管(Al、Au阴极)组成的阵列。在软X射线产额测量中,光导探测器(如GaAs探测器)、热电探测器(如LiTaO3、LiNbO3探测器等)和真空X射线二极管(XRD)都具有亚纳秒时间响应特性。它们的差别在于光导探测器灵敏度高(~10-4A/W),一般适用于低通量X射线测量;热释电探测器灵敏度很低(~10-7A/W),且抗干扰能力差,它的主要优点是不需要加偏压,一般用于高通量X射线测量;而X射线二极管灵敏度介于两者之间(~10-5A/W),既可以用于低通量X射线测量(如探测器标定),又可以用于较高通量X射线量测量(如实际的Z箍缩内爆实验)。且它具有体积小、响应快、使用方便等优点。在美国圣地亚实验室(SNL)的Z装置上,五通道滤片-XRD探测器阵列是软X光连续辐射通量测量的首选诊断设备。本论文工作在大量调研前期Z箍缩内爆研究成果的基础之上设计并组建了八通道“Dante”谱仪系统,完成了谱仪系统的设计加工并在中科院北京高能物理研究所同步辐射装置上对其中的光学元器件的光谱响应进行了刻度标定。完成了谱仪探测系统的抗电磁干扰实验并应用于“阳”加速器上的喷气、丝阵Z箍缩内爆实验研究。采用直接数值处理方法,从XRD通道信号可以迅速估计出软X光辐射的功率和能量,然后利用基函数展开法进行解谱,得到更为准确的实验参量。本文在最后给出了“Dante”谱仪测试结果与分析,并与X射线闪烁体功率计进行比较。功率计测试结果与“Dante”谱仪测试结果差异在20%以内,误差在合理范围内。光谱辐射局部辐射强度大可能是导致喷Ar气Z箍缩内爆实验中“Dante”谱仪功率测试结果比功率计的测试结果偏高的原因之一。余辉现象可能是功率计产额测量结果大于“Dante”谱仪测试结果的主要原因。丝阵实验等离子体发射的软X射线在~100ns的时间范围分时段进行,说明用丝阵作为负载在“阳”加速器驱动能力条件下,压缩质量并不理想。