【摘 要】
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该文对SiC的基本器件及制作工艺进行了系统的研究,主要工作有:利用改造的MBE系统,通过化学气相淀积,在6H-SiC衬底上同持飓延生长结构材料,采用传统的半导体工艺设备,制作了Si
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该文对SiC的基本器件及制作工艺进行了系统的研究,主要工作有:利用改造的MBE系统,通过化学气相淀积,在6H-SiC衬底上同持飓延生长结构材料,采用传统的半导体工艺设备,制作了SiC高反压台面pn结二极管,并对SiC的欧姆接触和腐蚀工艺及器件特性进行了系统的研究.通过热蒸发工艺,分别制作了Ni-/6H-SiC和Ti/6H-SiC肖特基二极管(SBD),在室温至200℃的温度范围内,都具有良好的整流特性.在N型6H-SiC同质外延的结材料上,制备了Al栅MOS电容.详细测量并分析了MOS电容的电学特性.该文对SiC器件工艺及器件特性进行了较为系统的研究,所得到的研究结果为进一步研制SiC高温、高功率、高频及抗辐射器件打下了良好的基础.
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