超支化聚碳硅烷因兼具良好的流动性、可自交联、易加工、陶瓷产率高等特点而备受研究人员关注。本文旨在超支化聚碳硅烷的末端引入一种或者多种基团，改善其耐热性能和耐氧化性能，从而拓宽其应用范围。　　本文通过格式偶合反应和还原反应制备出一种新型超支化聚碳硅烷(EHBP)，在EHBP聚合物的末端引入硅氢和乙炔基两种基团。利用FT-IR、NMR、DSC、流变、TG分析聚合物的结构和性能。结果表明，EHBP聚合物溶解性能良好，耐热性能随乙炔基含量的增加而提高;采用XRD、Raman、HRTEM等方法探讨陶瓷化的过程和陶瓷产物组成，结果显示，1600℃下裂解产物中存在β-SiC晶体和α-SiC晶体，结晶程度较高。　　本文以氯甲基三氯硅烷、乙炔基溴化镁、烯丙基溴化镁和氢化铝锂为原料，制备出三种不同基团封端的超支化聚合物(HBP)，采用FT-IR、NMR、DSC、TG等方法研究其结构和性能，TG结果表明，乙炔基封端的超支化聚碳硅烷耐热性能优良，N2氛围下的Td5为582℃，1000℃下的质量保留率为81.7％;通过XRD、EDS、SEM研究陶瓷产物的组成和形貌，结果表明，三种聚合物裂解后均能形成SiC晶体结构，其中，乙炔基封端的HBP-3陶瓷产率高，SiC晶体分布均匀。　　本文以氯甲基三氯硅烷、乙炔基溴化镁、正丁基锂和间碳硼烷为原料，制备出末端含乙炔基和间碳硼烷的超支化聚碳硅烷(CB-HBP)，对其结构、组成与性能进行表征，结果显示，CB-HBP在氮气和空气氛围下Td5分别为576℃和615℃，1000℃时的质量保留率分别达到85.4％和89.0％。利用XRD、Raman、TG等方法研究陶瓷产物的组成和耐热氧化性能，结果表明，碳硼烷的引入可以显著改善其耐热氧化性能。