微波介质陶瓷中缺陷对介电损耗影响的研究

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该论文选择具有铁钛矿结构的MgTiO<,3>介质材料作为研究缺陷对微波介电损耗影响的模型材料,用交流阻抗谱技术表征低频(1-10<6>Hz)下的电导谱,用微波介质谐振腔测试表征微波下(~10<9>Hz)的介电损耗,在此基础上通过适当的温度和频率外推获得材料宽频率范围内的介电损耗谱,讨论不同频率下的介电损耗机理及缺陷对介电损耗的作用机理;通过不同的工艺处理和化学掺杂来控制和改变MgTiO<,3>陶瓷中本征缺陷和非本征缺陷,用交流阻抗谱表征缺陷变化引起的电导的变化,研究材料的缺陷、电导和微波介电损耗的变化及它们之间的关系;综合缺陷、电导和微波介电损耗的变化来分析MgTiO<,3>陶瓷中缺陷对微波介电损耗的作用机理,为改善钛酸盐基微波介质材料的品质因子提供思路.
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