ZnO和TiO2作为宽禁带氧化物半导体近年来倍受人们的重视。1997年观察到ZnO薄膜光泵浦紫外激光发射、2002年TiO2基稀磁半导体的室温铁磁性的发现给其研究注入了新鲜的活力，开拓了新的研究领域。　　 本文利用脉冲激光沉积法(PLD)制备出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜，发现生长条件对薄膜的性质有重要影响。在沉积的温度范围内(600-900℃)所制备的ZnO薄膜具有C轴择优取向。氧气压力和激光能量对薄膜表面形貌的影响显著，高氧压会产生粗糙的表面，降低氧压则会使表面比较平整；激光能量密度增加，薄膜的平均颗粒尺寸增加，增大激光能量到200mJ/脉冲时，超加热效应使靶材内部出现微爆现象，导致薄膜表面质量变差，颗粒大小很不均匀。通过光致发光谱的测量，所有薄膜均在380nm附近出现带边发射峰，并且发现随着氧气压力的增加，ZnO薄膜的带边发射峰强度显著增加，这可能是由于氧气补偿了薄膜中的部分缺陷，致使薄膜中缺陷浓度减小。　　 我们又通过PLD法生长高温、低温同质缓冲层，研究了缓冲层对薄膜结构和性能的影响。发现低温缓冲层可以有效地释放薄膜应力，得到表面均匀的薄膜，而高温缓冲层会导致薄膜表面形貌的恶化。无论是低温缓冲层还是高温缓冲层，光致发光带边强度都得到增强。　　 最后我们用溶胶-凝胶法制备了TiO2：Co薄膜，通过研究不同烧结温度，发现在450度附近可以获得结晶性能良好的薄膜，低温光致发光谱发现其在530nm附近存在深能级发射峰，对应于TiO2的F型色心缺陷。另外，我们还初步制备了共掺杂薄膜TiO2∶(Co，Mo)，这对磁性起源的澄清有一定的意义。