论文部分内容阅读
ZGYQ公司高管腐败的内部审计治理案例研究
【发表日期】
:
2021年01期
其他文献
氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体,且禁带宽度为3.4eV,具有小的电子亲和势(2.7-3.3eV)、高熔点(1700℃)、低功函数(4.1eV)等优异特点,因此它是一种优异的场发射阴极材料,通常可用于制造场发射器件。GaN纳米材料比GaN块体材料具有更好的物理化学性质,为了进一步提高GaN纳米结构的场发射性能,我们制备了不同条件下三维分支结构GaN纳米线,并对样品的生长机理、晶体结构及场
学位