钡过量及复合对BTFN材料结构和介电性能的影响

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微电子产业以及储能产业的发展需要介电常数高、损耗低、耐压高的介电材料。业已发现,BTFN(BaTi0.5(Fe0.5Nb0.5)O3)材料具有较高的介电常数,但介电损耗偏高、导致耐压和储能密度偏低。一般认为,此材料具有核壳结构,核导电而壳不易导电。壳中微量Fe2+与Fe3+的共存使其绝缘性不足,导致材料的介电损耗偏高、耐压和储能密度偏低。为降低BTFN材料的介电损耗,提高耐压和储能密度,本文进行了如下四部分研究:1.考察BaO过量对BTFN材料结构、导电性和介电性能的影响。结果表明:氧化钡过量对材料(x=0-0.1)晶相结构无明显影响,均为立方结构,随氧化钡过量程度(x)增加,材料电导率降低,耐压值提高,介电常数降低,较高温度区(>150℃)的介电损耗降低。2.研究了玻璃BTFN双层陶瓷材料,结果表明玻璃和BTFN串联介电损耗明显降低,尤其在35℃-95℃区间,介电损耗小于0.018,但由于玻璃的介电常数小,与BTFN串联后使材料的介电常数降低太多,储能密度也减小。3.考察了包裹玻璃对BTFN陶瓷材料的影响,结果表明包裹玻璃降低了材料的电导率,进而降低介电损耗。包裹玻璃介电常数降低,但材料的耐压增大,使得材料的储能密度均提高,尤其是包裹量为3%的样品,储能密度达到最大(0.0012 J/cm3)。4.研究了(Ba0.96Ca0.04)(Ti0.82Zr0.18)(BCTZ)包裹 BTFN 陶瓷材料,研究表明,包裹BCTZ的量为10%时,提高了材料的介电常数(7500),降低材料的介电损耗(0.074);当包裹量增加至50%时,介电常数降低,但是材料的储能密度达到最大。
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