采用MEMS技术研制的加速度传感器，是基于硅工艺的最重要的传感器之一。但是由于寄生效应和吸合效应的影响，在进一步微型化、集成化方面会更加困难。本论文研制一种新型数字式加速度传感器——吸合时间式加速度传感器，通过测量吸合时间来测量加速度，该传感器输出时间信号，因此可以采用纯数字接口电路进行测量；并且避免了寄生电容的影响，不受吸合电压的限制，其芯片面积可以远小于传统电容式加速度传感器。建立了悬臂梁—质量块结构的加速度传感器的理论模型，通过对模型进行分析表明，质量块在两个检测电极之间的吸合时间差ΔT与加速度成正比关系，通过检测ΔT的变化即可检测加速度，其增益和非线性度与传统电容式器件相当。并且阻尼越大，悬臂梁与质量块长度比越小，质量块运动范围越小时，传感器的增益G越大，但线性度会变差。围绕一种基于厚胶光刻和电镀的准LIGA工艺进行了研究，并研究了电镀结构的应力问题。实验结果表明，减小电镀时电流密度，优化器件结构，可以有效改善电镀结构的应力。设计并研制了Si和Au两种材料的加速度传感器结构，完成了工艺制作。设计了电容式和接触式两种检测方式的接口电路，并对器件进行了初步测试。测试结果显示，吸合时间随加速度变化，1g加速度引起的吸合时间变化为μs量级。