ZnO是一种新型的半导体材料,可以作为薄膜太阳电池的透明电极和窗口材料而使用,具有极大的研究价值。本文主要研究ZnO薄膜及掺杂体系中掺铝ZnO的制备。ZnO薄膜制备采用直流磁控溅射的方法,使用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外可见光分光光度计等仪器来进行测试,研究了基片温度、溅射功率、溅射压强、退火温度、退火时间等各项实验参数对其晶体结构和光电性能的影响。实验最终目标是能够得到具有高度c轴择优取向性、高透光率、高电导率以及表面致密平滑的ZnO薄膜,能够将其有效应用到本实验室非晶硅薄膜太阳电池的制备上。研究结果表明,随着玻璃基片温度的升高,薄膜结晶性能得到改善,具有明显c轴择优取向性,电阻率降低,可见光区域光透过率升高。在基片温度为350。C时电阻率达到1.36×10-3Ω.cm。溅射功率增加有利于薄膜结晶质量的提高和电阻率的降低,但是当溅射功率超过80W以后,电阻率有上升的趋势。薄膜可见光透过率随着溅射功率的增加而持续降低,在90W溅射功率时,透光率低至60%以下,几乎不可用。提高溅射压强可以降低薄膜电阻率,但是当压强超过14.0Pa时,电阻率急剧增加,(101)衍射峰强度也相对增强,影响结晶质量。退火处理可以有效改善薄膜性能,随着退火温度的升高,(002)衍射峰强度有一定程度的增加,薄膜电阻率降低,退火温度在330-400℃之间较合适。退火时间需要控制在适宜的时间内,在2小时退火后,薄膜的透过率可以从75%左右增加到80.17%,可见退火处理也可以改善薄膜光学性能,退火时间以2-3小时较适宜。