光控碘化铅表面极性及其催化性能研究

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随着社会经济的发展,一系列的环境问题接踵而来,如何充分地利用能源而又有效地降解污染已经成为解决问题的重点,而具有光伏效应和光催化能力的半导体材料就成为解决问题的突破点。半导体材料产生光伏响应并参与光催化过程主要依靠于光生电荷分离、迁移及复合过程。以上光生电荷的行为一般发生在半导体的表面,研究半导体表面光电性质可以引导光伏响应和光催化效率的提高。PbI_2为p型半导体材料,禁带宽度较大,约为2.4 eV。具有较高的原子系数、较大的禁带宽度、电阻率高和载流子迁移率寿命极大等诸多优点,能有效的利用太阳能,
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