双量子阱结构红光和硅基顶发射有机电致发光器件的研究

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选用NPB 层作为势垒和空穴传输层,掺杂DCJTB 的Alq3层作为势阱和发光层,未掺杂的Alq3层作为电子传输层,制备了双量子阱结构红光有机电致发光器件。此器件的性能与普通异质结结构的器件相比有了明显的改善。其开启电压大约为4 V。在驱动电压为16 V 时,器件的亮度达到最大值5916 cd/m~2,在驱动电压为7 V 时它的电致发光效率达到最大值2.85 cd/A。更重要的是,器件的电致发光效率曲线随电压变化缓慢,在5V 至16V 这样一个很大的电压范围内,效率曲线变化趋向平坦,这对于提高器件的寿命很有帮助。双量子阱结构红光有机电致发光器件具有较好的性能主要是由于量子阱结构对载流子的很好的限制作用。通过在Au 阳极和空穴传输材料NPB 之间加入10nm 厚的CuPc 缓冲层,硅基顶发射有机电致发光器件的电光特性有了很大的改善。有CuPc 的器件和没有CuPc 的器件的最大亮度分别达到10080cd/m2 和10210cd/m~2,这在面发射有机电致发光器件中是一个较好的结果。没有CuPc 的器件的最大效率为0.61cd/A(在15V 时),而有CuPc 的器件的最大效率大约是它的3 倍, 达到1.69cd/A(在11V 时)。CuPc 缓冲层对于提高以金作为阳极的空穴注入的效率是非常明显的。由于Au具有较高的功函数,并且对氧和水分不敏感,因而对于顶发射有机电致发光器件来说,Au 是一种比较合适的阳极材料。
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