【摘 要】
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本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发，研究一个高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)，具体方案是采用分子束外延法在InP衬底上生长InGaAsP／InP的增益导引氧化物条型LD外
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本文从半导体物理、激光理论、光放大理论出发，研究一个高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)，具体方案是采用分子束外延法在InP衬底上生长InGaAsP／InP的增益导引氧化物条型LD外延片，对该外延片进行光刻和化学试剂腐蚀，将其分割成LD和SLA，采用直接耦合的方式将LD与SLA集成一体，使输出功率提高了一个数量级。由此得出用一种高功率半导体功率放大激光器及列阵代替传统的LD及列阵可以大大减少管芯的使用数量、提高激光输出质量、优化光源系统和冷却系统，实现集成降低成本，使激光输出功率成倍提高。用LD-SLA来代替传统的LD来泵浦固体激光器也有很大的发展前景。
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