有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)因其成本低廉、可弯曲折叠、能大面积集成等优点,吸引了国内外研究机构和大型企业的广泛关注。本文在深入分析并五苯OTFT工作机理的基础上,详细介绍了有源层、绝缘层、电极材料的选取,衬底的清洗、薄膜制备等工艺技术及OTFT性能的测试技术,提出了两种OTFT电学解析模型,详细阐述了其理论依据及公式推导过程,并进行了仿真验证。应用跳跃理论对有机半导体材料中电子运动的相对无序进行解释。本文提出了一种基于变程跳跃理论(Variable Range Hopping, VRH)的OTFT直流电学模型,这种模型不需要明确定义很难估算的阈值电压和饱和电压。从VRH基本理论出发,给出了模型公式的详细推导过程以及参数提取方法,在参数提取中构造了一个积分函数,能排除实验所产生的噪声数据,从而能得到更准确的结果。采用统一模型参数提取方法(the Unified Model and parameter Extraction Method, UMEM)对OTFT进行建模,并对电特性参数进行分析,在进行电特性参数提取时,构造了一个整体函数,滤除了影响参数提取精度的实验噪声,且方法简单易行,适用于各种类型的OTFT。基于Matlab软件,应用这两种模型对并五苯OTFT进行仿真分析,仿真结果表明了此两种模型都可以较好的对OTFT的转移特性和输出特性进行模拟,且仿真结果与实验结果较好吻合,证明了模型的正确性,对OTFT的研究与设计具有一定的指导意义。