磁性半金属材料是具有独特能带结构的自旋电子材料,拥有丰富的物理特性和广泛的应用前景。本文从实验上制备了磁性半金属/单晶硅复合薄膜并研究其物理特性,重点研究了多物理场（光场、电场及磁场）对磁性半金属/单晶硅复合薄膜物理特性的调制。具体研究工作如下:首先,采用溶胶凝胶法和脉冲激光沉积法在p-Si（100）单晶硅衬底上制备厚度为452 nm,结构为菱形相的La0.7Sr0.3Mn O3薄膜并研究其物理特性。实验结果表明,采用三级式结构测量法在室温下实现了磁场、电场和光照对La0.7Sr0.3Mn O3/p-Si（100）薄膜IV特性的调制作用,存在电场效应与光、磁的协同作用,电子在薄膜中的输运符合低电场下的空间电荷限制电流模型。多场调控中的电场作用效果远大于其他物理场的作用效果,若能实现外加电场、光照或外加磁场多个条件的协同作用下,使材料的IV特性发生巨大的变化,那么这个结果是非常有价值的。其次,利用脉冲激光沉积法在p-Si（100）单晶硅衬底上制备厚度为37 nm,结构为正交晶系相的La0.7Li0.3Mn O3薄膜,得到La0.7Li0.3Mn O3/p-Si（100）复合结构。实验表明,该复合薄膜在常温下具有明显的电致电阻效应,它的电致电阻值能达到-40%（0.04μA）和-120%（0.10μA）,La0.7Li0.3Mn O3/p-Si（100）薄膜有很明显的光和电响应。然而在磁场作用下,磁场抑制了光照和栅电压在La0.7Li0.3Mn O3/p-Si（100）之间起到的作用效果,但实现了磁场、栅电压及光照两两之间对La0.7Li0.3Mn O3/p-Si（100）薄膜的I-V特性的协同调节。最后,考虑自旋极化率因素,我们选择自旋极化率较高的Fe3O4材料,并采用电化学沉积法制备纯尖晶石结构的亚铁磁性半金属Fe3O4/ITO膜,对其电化学法制备工艺及其光电特性做了初步研究。实验结果表明:沉积电压为4 V和沉积时间为6 mins的Fe3O4/ITO薄膜的质量最优,光照和电场实现了对Fe3O4/ITO薄膜IV特性的协同效果,这一结果可促进类似相关应用器件的发展,为该领域的材料器件化、功能化提供点思路。同时,这一结果为磁性半金属复合薄膜中多物理场调控的进一步研究提供了良好基础。