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铁电薄膜在现代微电子、微机电系统、信息存储等方面有着广泛的应用前景,已经成为当前新型功能材料研究的热点之一。钙钛矿结构铁电薄膜如BaTiO3、PbTiO3、Pb(Zr, Ti)O3,(Pb, La)(Zr,Ti)O3等具因有优异的压电、铁电和热释电等性能而受到广泛的关注。脉冲激光沉积法是一种传统的薄膜生长技术,因其能保证薄膜的化学组分与靶材一致,常被用于生长多元化合物薄膜。迄今为止,已有许多文献报道了从实验上用脉冲激光沉积法制备钙钛矿铁电薄膜,但是关于钙钛矿铁电薄膜初期生长的研究很少。特定生长条件下