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带隙基准(BGR—bandgap reference)电源是一种对于工作温度不敏感的精准参考电源。将具有负温度系数的三极管基-射极电压VBE与具有正温度系数的热电压VT以适当权重叠加,就能得到零温度系数的电压输出。传统带隙基准电路中,通过调整电阻的比例产生适当的权重系数。在标准的CMOS工艺中,电阻模型的精确度不高,需通过激光调修保证精度,同时电阻占用面积很大,导致生产成本高,效率低。而利用反函数技术的无电阻带隙基准电源可以利用MOS管面积比产生不随工艺与温度变化的系数,进行温度系数的调整。该技术能很好的适应数字电路工艺,简化生产工艺,在SOC应用中有很大的优势。无电阻带隙基准技术是一种较为新型的基准技术,在精度方面仍然有待提高,对基准进行高阶温度补偿是目前研究的一个重点。由于没有电阻的使用,传统带隙基准电源的高阶补偿方案往往不直接适用于无电阻带隙基准。因此本文基于传统VBE线性化补偿方法,提出一种带高阶温度补偿电路的高精度无电阻带隙基准电压源。论文首先介绍了传统及无电阻带隙基准电源的原理,并对其高阶温度误差及其补偿进行了详细的分析；通过采用共源共栅电流镜,并在源极耦合差分对中引入额外的一对电流镜,钳制了反函数电路中电流镜比例系数的漂移并提高了电路的电源抑制能力；设计了一个能提供正温度系数以及零温度系数偏置电路的自偏置电路,为电路提供稳定的工作电流；利用反函数电压转换器及两种不同温度系数的偏置电流,实现对VBE中温度高阶项的分离与消除,最终得到了高性能、低温度系数的带隙基准电压输出。电路采用采用O.5μm BCD工艺设计,工作电压范围4-6.5V。在HSPICE软件中对电路各方面性能进行了仿真：基准电压输出为1.18V,温度在-40-125℃范围内,基准温度系数为9.52ppm／℃,低频电源抑制比为50dB,工作电压在4-6.5V范围内时电源调整率为7.42mV/V,电路静态功耗为490μW。电路表现出不亚于较为成熟的传统型带隙基准电源的优良性能,实现了新型补偿理论的论证。