论文部分内容阅读
半金属材料在自旋电子学领域有着潜在的应用价值。半金属材料的性质,如磁性、电性和霍尔效应等影响着半金属材料的实际应用。本文中,我们选择半金属Heusler合金Co_2MnSi和半金属Fe_3O_4来研究半金属材料中的霍尔效应。我们通过直流磁控溅射,在玻璃基底上制备了Co_2MnSi薄膜。在高温下(600℃)制备的Co_2MnSi薄膜结晶较好,化学有序程度高,样品的饱和磁化强度Ms接近理论值(5μB/f.u.);在低温下制备的样品存在Mn-Mn近邻反铁磁交换作用,导致Ms下降。Co_2MnSi多晶薄膜的