激光转印法超材料太赫兹器件的制备技术研究

来源 :中国计量学院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fengrui0216
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
超材料是一种基于表面有序微纳米结构的人工材料,通过合理地设计金属结构,可以实现多种自然界材料中不具备的崭新而特殊的电磁传播特性,如负折射效应、超透镜、电磁隐身、高频磁响应等。目前大多数太赫兹超材料微结构器件都采用传统的光刻技术来制备,但是光刻技术制备成本较高、周期长、步骤复杂。因此,寻求一种低成本、高效率、步骤简单且性能优越的方法制备微结构器件引起了广泛关注。激光转印技术是一项基于纳米金属悬浮液(纳米银浆)激光诱导转移的新兴激光直写技术。它通过计算机编制超材料谐振单元结构图形到空间光调制器,经显微物镜成像,照射在涂布有纳米银浆的基底材料上,利用激光脉冲的能量轰击使被激光光斑照亮的区域银层脱落,在敷银基片或接收衬底上形成微结构器件。该技术在发展、定制、修改和修复微电子电路、制备超材料微结构器件等方面具有很大的潜力。我们在国内首次研究并利用激光转印技术成功制备了太赫兹超材料微结构器件。本文的研究工作主要包括:(1)对激光转印技术进行了系统的研究,包括系统的光路搭建及优化、超材料器件加工程序设计,样品制备流程、工艺因素影响及工艺优化等。目前,我们利用激光转印技术已实现了在石英晶片上制备正结构和互补结构的超材料微结构器件。对于互补结构器件,器件结构部分被激光光斑照亮脱落;而对于正结构器件,大面积的银层被光斑照亮而脱落,在敷银基片上留下未被曝光的器件结构部分。受能量密度的限制,目前制备的正结构器件周期最大为100μm,互补结构器件则没有这个限制。制备的器件结构最小线宽为4μm,银层厚度在100 nm~500 nm范围内可调,并且呈现出良好的厚度均匀性、清晰的边缘特征、较少的纳米银颗粒残留等。(2)利用激光转印技术在厚度为200μm的石英晶片上制备了一种双开口环桥式结构和其互补结构的太赫兹超材料谐振器。利用台阶仪和THz-TDS系统对其性能进行了测试,测试结果显示制备的微结构器件共振单元具有良好的重复性,透射谱结果与模拟仿真分析结果基本吻合,可以用来制备超材料太赫兹器件。(3)研究了一种互补双开口环太赫兹滤波器,该滤波器在0.2-1.4 THz范围内有三个谐振峰,可以通过调节内环和外环的结构尺寸灵活选择谐振频率的范围。利用CST模拟仿真分析了在电磁波的作用下滤波器电磁特性变化,外环对三个通频带的产生都有一定的影响,内环主要对第二个通频带的产生起作用。运用激光转印技术在石英晶片表面制备了样品结构,实验结果显示在0.40 THz、0.82 THz、1.15 THz附近有明显的谐振效应,与仿真分析结果基本相符。目前我们使用的是低粘度的纳米银浆,可以在敷银基片上制备微结构器件。未来工艺优化之后有望使用高粘度的纳米银浆在接收衬底上制备器件。
其他文献
对中医诊断学病案教学规律进行了探讨与实践,提出从1、四诊部分重视辨“症”,横向联系逐渐辨证;2、辨证部分巧引病案,培养思维形式多样;3.精心设计病案作业,培养综合思维能力三方面
<正>一、园本培训的含义园本培训,是指引导幼儿园新教师根据岗位职责,不断调整自己的职业规划,以提高教师专业素质为主要目标,通过教育教学实践和教育科研活动,丰富自己的实
日常生活在王安忆的笔下,是真实的社会历史事实,历史在王安忆的观念里不再是正宗的主流意识形态话语,而是由日常生活琐碎的小事呈现出来的。所以在她眼中,都市的历史不是舞厅
由于SOC芯片方向最近几年的快速发展,高精度、低功耗的模数转换器芯片越来越受到重视。在此背景下,本论文是为了实现高精度、低功耗、宽输入摆幅的模数转换器。在当前大规模
随着工艺进步与生物传感器的进步,传感器的微型化、低功耗化、无线化成为可能。植入式的医疗设备的出现,给医疗电子带来更多的发展空间,也给人们带来了更新颖、更方便的检测
为了获得技术经济要求的砌筑砂浆配合比,在分析《砌筑砂浆配合比设计规程》(JGJ/T98-2010)的主要修订内容及其修订意义的基础上,结合砌筑砂浆性能的基本规律及砌筑砂浆配合比
针对一通用型轴流风扇的转子叶片,以三维粘性流场的数值计算程序为平台,利用人工神经网络BP算法和遗传算法,通过叶片弯掠技术对叶片的周向弯曲角度进行寻优,以使风扇的性能进
半导体键合技术可以将晶格失配的不同特性材料通过接触面间的分子力或键合化学力键合在一起,构成具有特殊功能结构。该技术涉及力学、电学、化学、光学的理论与实践,是制备光
综述了输水管道、输油管道和输气管道的腐蚀因素分析、防护技术及腐蚀检测的方法,对相关的防腐技术进行了比较,并对管道防腐技术的研究方向提出了建议。
随着宽禁带半导体器件的发展,增强型AlGaN/GaN HEMT器件受到越来越高的重视。在射频及微波领域,增强型HEMT器件有利于减小电路尺寸及成本;在数字逻辑领域,可以实现直接耦合逻