反应烧结工艺具有烧结温度低、烧结时间短、易于制备大尺寸复杂形状构件以及构件在烧结过程中尺寸变化几乎为零等特点.反应烧结法制备的SiC/Si复相材料具有优良的耐腐蚀、抗氧化、抗高温热震等性能.现已应用的反应烧结SiC/Si复相材料都是传统的反应结合碳化硅陶瓷(Reaction-Bonded Silicon Carbide—RBSC).这种传统RBSC陶瓷的制备是以碳化硅粉外加少量的碳粉为原料,高温下渗硅反应烧结而成.该工艺为了保证素坯有一定的气孔率和孔径分布,一般都采用大中小不同的碳化硅颗粒级配,且为了使素坯浸渗反应完全,通常加入粒径大于10μm的初始碳化硅粉,所制备的材料中一般含有粗大的碳化硅晶粒,且自由硅的含量较高,强度较低.该研究采用的工艺不同于反应结合工艺,主要在于渗硅用的多孔素坯是纯多孔碳素坯,不含有碳化硅颗粒,最终制品中的碳化硅晶粒全部是反应生成的.研究中首先采用聚合物一溶剂相分离技术制备性能可控的多孔碳,进而选用不同多孔碳渗硅反应形成SiC/Si复相材料.通过控制素坯的性能及渗硅工艺制备出了晶粒均匀细小、自由硅含量少的高性能反应形成SiC/Si复相材料.多孔碳的合成来源于三种成份:碳的前驱体、孔形成剂和溶剂及催化剂.该研究以糠醇树脂和糠醇为碳的前驱体,以各种不同分子量的醇为造孔剂和溶剂,以对甲本磺酸为催化剂.多孔碳性能的调控是通过改变聚合物溶液的浓度,催化剂的用量、热聚合温度和裂解温度等,不象传统反应结合素坯的调控,仅改变球磨时间,素坯成型压力及C和SiC粉的用量.采用XRD、SEM、BET和压汞法对多孔碳的性能进行了表征.通过改变工艺参数可获得孔径分布非常窄的多孔碳,碳粒子的大小在4~0.03μm,孔径为20~0.01μm,孔隙率为20~70％,BET比表面积为350~400m<'2>·g<'-1>.选用九种体积密度小于0.96 g·cm<'-3>多孔碳,通过液相或气相渗硅,成功的制备了具有不同硅含量和显微结构的反应形成SiC/Si复相材料.并对复相材料进行了性能表征.