聚硅烷（-SiR₂-SiR₂-）是一类主链完全由硅原子组成的具有σ离域体系的聚合物，其价带能隙为3～4 eV。聚硅烷本身电导率仪10^-12～10^-15S／cm，属于绝缘体，但经掺杂后，其电导率可在10^-8～10^-1S／cm范围内任意调节，最高可达0.2S／cm。聚硅烷有许多优异的光电性能，因而被用作半导体、光导体、非线性光学材料等功能材料。 本论文选择聚甲基硅烷（PMS）作为母体，通过反应制备锑取代聚硅烷（APS），采用FT-IR、元素分析、UV、¹H-NMR、²⁹SiCP／MAS-NMR、GPC、TGA等方法对其组成、结构、分子量和稳定性进行分析表征；将其氧化掺杂，研究其半导体性能。 采用Wurtz法合成PMS，其化学组成为[（MeHSi）_0.73（MeSi）_0.27]_n。以四氯化碳为氯化剂，在温和的反应条件下对PMS氯化，获得聚氯甲基硅烷（PCMS）。氯化反应对Si-H键具有较高的选择性，Si-H的取代率能够达到90％以上。 以两种方法合成了APS：（1）通过PMS直接与SbCl₃反应合成：以THF为溶剂，加入吡啶作催化剂，可以有效抑制副反应的发生，所得APS的组成为[（MeHSi）_0.33（MeSi）_0.57（MeSiSb）_0.10]_n；（2）通过PCMS与SbCl₃反应合成。以上两种方法合成的APS具有以Sb原子为中心的Si-Sb相连的支化交联结构，电导率在10^-8～10^-7S／cm之间，属半导体。将其与I₂进行氧化掺杂，电导率可以提高到10^-5S／cm。APS的电导率与成膜条件、掺杂时间等因素有关，真空条件下成膜，获得聚硅烷电导率较高；APS的掺杂以7～8h为宜；经过掺杂后其电导率能够保持72h稳定不变；对其掺杂导电机理进行了初步探讨。