ZnO压敏电阻器具有非常优良的非线性伏安特性，大的浪涌吸收能力，已经广泛的应用于各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护中。随着电子计算机、家用电器、通讯技术等方面的发展，对于保证系统正常运行的保护元件的需求量不断的增加，但是目前国内的压敏电阻器的厂家的成本高，利润率比较低，而且市场上的商用ZnO压敏电阻器的残压比比较高（大概2.3-2.6）左右。本课题就是针对目前存在的问题进行了研究。本文主要介绍了ZnO压敏电阻器中引入SnO₂以及在加入SnO₂后配方的变化，同时确定了适应于新配方体系的工艺流程（主要指烧结温度的确定）。实验发现，在加入SnO₂后，新配方体系的添加剂的总量明显降低，同时新配方体系的元件的压敏电压梯度比目前市场上商用压敏电阻器有了显著的提高，最后新配方体系的残压比比商用的压敏电阻器低，保护能力更强。后又介绍了对于新配方体系的压敏电压梯度高、残压比低这个实验现象的解释。最后介绍了本人研究生期间做的一些其他的工作（主要包括制作添加剂的溶胶并且制备元件），实验发现溶胶的引入能有效的提高压敏电阻器的通流能力。